世界最高速の混載DRAM技術の開発について 2008年2月6日 当社は、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの実用的容量で世界最高速833MHzを実現する回路を開発しました。今後、画像処理LSIの高速化等に応用していきます。 混載DRAMは、外付けメモリに比べより高速参照できるため、大容量データを扱う画像処理LSIなどに採用されていますが、高精細動画の普及拡大などを背景に更なる高速化が求められています。 今回当社は、対象領域を都度指定して読み書きする従来方式に替え、メモリ全体を仮想的に2分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する「擬似2ポート」方式を導入しました。 DRAM混載のシステムLSIは、次世代の高性能デジタル家電や、ゲーム、携帯電話、プロジェクタなど、高精細映像の大容量データを高速で処理するアプリケーションを中心に採用が検討されています。 |
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