GaN HEMT

GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT

GaN HEMT

製品情報

製品一覧マップ

便利な機能として、製品データ閲覧の際にお使いください。

▼品名(データシート)はPDFファイル形式(ファイルサイズ:71KB~212KB)

  • 別ウインドウで開きます

  • 新製品

製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI5059-120L 5.0-5.9 24 4.0 51.0 13.5 11.0 ±0.8 40 -25 7-AA06A Download
  • ▼ Pin = 42.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI5867-25L 5.85-6.75 24 1.75 44.5 13.5 2.7 ±0.8 39 -40 7-AA04A Download
TGI5867-50L 5.85-6.75 24 3.0 47.0 13.5 5.4 ±0.8 33 -40 7-AA04A Download
TGI5867-60LHA 5.85-6.75 40 0.4 48.0 12.5 3.5 ±0.8 38 -25 7-AA04A Download
TGI5867-130LHA 5.85-6.75 40 0.8 51.0 12.5 7.0 ±0.8 38 -25 7-AA06A Download
  • ■ Pin = 35.0 dBm
  • ● Pin = 40.0 dBm
  • ◆ Pin = 43.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI5964-120L 5.9-6.4 24 4.0 51.0 13.0 10.0 - 42 -25 7-AA06A Download
  • ◆ Pin = 43.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI7179-60LHA 7.1-7.9 40 0.4 48.0 12.0 3.5 ±0.8 37 -25 7-AA04A Download
TGI7179-130LHA 7.1-7.9 40 0.8 51.0 12.0 7.0 ±0.8 36 -25 7-AA06A Download
  • ▼ Pin = 42.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI7785-25L 7.7-8.5 24 1.75 44.5 12.0 2.7 - 39 -40 7-AA04A Download
TGI7785-50L 7.7-8.5 24 3.0 47.0 11.0 5.0 - 33 -40 7-AA04A Download
TGI7785-60LHA 7.7-8.5 40 0.4 48.0 11.5 4.0 ±0.8 32 -25 7-AA04A Download
TGI7785-120L 7.7-8.5 24 4.0 51.0 11.0 10.0 ±0.8 42 -25 7-AA06A Download
TGI7785-130LHA 7.7-8.5 40 0.8 51.0 11.5 7.0 ±0.8 36 -25 7-AA06A Download
  • ■ Pin = 35.0 dBm
  • ● Pin = 40.0 dBm
  • ★ Pin = 41.0 dBm
  • ▲ Pin = 44.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI8596-50 8.5-9.6 24 1.5 47.0 9.0 5.0 31 7-AA04A Download
TGI0910-50 9.5-10.5 24 1.5 47.0 9.0 5.0 31 7-AA04A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI9098-100P 9.0-9.8 24 6.0 50.0 12.0 10.0 - 40 - 7-AA03B Download
  • ※ Pulse Operation
  • ■ Pin = 42.0 dBm
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGI1213-25LA 12.7-13.2 24 1.0 44.0 8.0 2.5 ±0.8 29 -25 7-AA07A Download
TGI1213-50LA 12.7-13.2 24 2.0 47.0 8.0 5.0 ±0.8 29 -25 7-AA07A Download
TGI1314-25LA 13.75-14.5 24 1.0 44.0 8.0 2.5 ±0.8 29 -25 7-AA07A Download
TGI1314-50LA 13.75-14.5 24 2.0 47.0 8.0 5.0 ±0.8 29 -25 7-AA07A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
利得平坦度
ΔG(dB)
最大値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
TGM9398-25 9.3-9.8 24 1.2 44.0 24.0 2.6 - 38 - 7-BA42B Download
To Top