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GaN HEMT
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT
C帯内部整合型電力GaAs FET
C帯(4~8GHz)GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor:ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET
X、Ku帯内部整合型電力GaAs FET
X帯(8~12GHz)およびKu帯(12~18GHz)GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor:ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET