マイクロ波半導体

GaN HEMT

GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）
GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT

C帯内部整合型電力GaAs FET

C帯（4~8GHz）GaAs FET（Gallium Arsenide Field Effect Transistor：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ）
高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET

X、Ku帯内部整合型電力GaAs FET

X帯（8~12GHz）およびKu帯（12~18GHz）GaAs FET（Gallium Arsenide Field Effect Transistor：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ）
高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET