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2011 VOL.66 NO.9 バックナンバーへ
特集:半導体不揮発性メモリ
デジタルネットワーク化を支える最新技術
NANDフラッシュメモリに代表される大容量不揮発性メモリは,多くの機器の外部記憶装置として今や生活のあらゆる領域で活用されています。東芝は,NANDフラッシュメモリのパイオニアとして,最先端の微細加工技術を追求するとともに新規メモリの技術開発に取り組むことで,デジタルネットワーク化の発展に貢献していきます。
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  目次
 
 (各PDFデータは、別ウィンドウで開きます)
 
 
■ 特集:半導体不揮発性メモリ
巻頭言 半導体不揮発性メモリの過去,現在,そして未来(119KB/PDFデータ)
TREND 半導体不揮発性メモリの技術動向と展望(668KB/PDFデータ)
SSDの発展を支える技術(369KB/PDFデータ)
24 nm 64 Gビット MLC(2ビット/セル) NANDフラッシュメモリの設計技術(360KB/PDFデータ)
超大容量不揮発性ストレージを実現する3次元構造 BiCSフラッシュメモリ(414KB/PDFデータ)
垂直磁化方式のMTJ記憶素子を用いたスピン注入書込みMRAM(446KB/PDFデータ)
NANDフラッシュメモリの書換え条件とデータ保持寿命(283KB/PDFデータ)
半導体メモリの大容量化を支えるパッケージング技術(586KB/PDFデータ)
■ 一般論文
自然で聞きやすい電子書籍読上げのための文書構造解析技術(442KB/PDFデータ)
CT装置の回転バランス調整技術(541KB/PDFデータ)
  企業向けノートPCのラインアップ拡充を可能にしたすり合せ技術(623KB/PDFデータ)
  レグザタブレットAT300のメディア機能を支える高画質・高音質化技術(422KB/PDFデータ)
  西日本旅客鉄道(株)輸送計画システム(602KB/PDFデータ)
  走行支援道路システム用画像処理装置(520KB/PDFデータ)
  代表文生成技術とFAQ作成の効率向上(410KB/PDFデータ)
■ R&D最前線
  動画を高精細化する複数フレーム超解像技術(315KB/PDFデータ)
 

高品質な要件定義のための暗黙知の形式知化と共有手法(270KB/PDFデータ)


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